Pamięci RAM - pamięci DRAM
Autorem artykułu jest RatujPC
Informacje przechowywane są w pamięci DRAM, pod postacią ładunku zgromadzonego przez kondensator Cs. Na skutek rozładowania kondensatora, ustala na nim napięcie odpowiadające logicznemu zeru, natomiast poprzez proces ładowania, ustalone napięcie odpowiada jedynce logicznej.
Charakterystyka pamięci DRAM
Organizując adres jak na rysunku, komórka posiada wejście adresowe W dla wierszy, oraz pojedynczą linię danych wspólną dla komórek o adresie określanym przez kolumnę B. Wspólny dla kolumny adresowej B jest wzmacniacz odczytu. Po wybraniu komórki, na wejściach adresowych B oraz W ustala się stan wysoki, a pojemność Cs jest dołączana do linii danych. Podczas zapisu doprowadzane jest do niej napięcie ze wzmacniacza zapisu, które odpowiada logicznej jedynce lub zeru. Po fazie odczytu ładunek znajdujący się w pojemności Cs stopniowo ładuje dużo większą pojemność Cb, na którą składa się dodatkowo pojemność drenu, dlatego napięcie odczytu powinno być dużo wyższe od napięcia na kondensatorze Cs. Odczyt powinien być wzmacniany dobrym układem uzupełnionym o elementy odświeżające pamięć, które będą odświeżały poszczególne kolumny niezależnie od wykonywanego cyklu. Innym rozwiązaniem jest zastosowanie wielotranzystorowych komórek pamięciowych z dużo prostszym układem odświeżania oraz prostym wzmacniaczem odczytu/zapisu.
Typowa struktura pamięci dynamicznej, posiadającej pojemność 64 kilobitów, przedstawia się jako matryca zbudowana z 256 wierszy oraz 256 kolumn. Aby zmniejszyć liczbę wyprowadzeń pamięci dynamicznej oraz ułatwić jej odświeżanie, należy multipleksować wejścia adresowe. Adresowanie pamięci polega na podaniu ośmiu ważniejszych bitów adresu, co stanowi adres wiersza, następnie podawane są wartości ośmiu młodszych bitów, stanowiących adres kolumny. Adres wiersza wpisywany jest do rejestru wiersza przy opadającym zboczu sygnału ~RAS. Następnie dekoder adresu, którym jest zwykły multiplekser wybiera odpowiadający żądanemu adresowi wiersz. Podobnie adres kolumny wpisywany jest z wejść do rejestru kolumny po stwierdzeniu opadającego zbocza sygnału CAS. Demultiplekser wybiera odpowiednią kolumnę o żądanym adresie. Wybranie wiersza oraz kolumny w matrycy pamięciowej odpowiada wskazaniu jednej konkretnej komórki pamięci, przy zaoszczędzeniu połowy wyprowadzeń. Jeżeli podczas operacji wskazania adresu, na pinie WE był stan logicznego 0, to zawartość komórki przesyłana jest na wyjście układu, ma wtedy miejsce operacja odczytu. Gdy WE = 1 następuje zapis wejściowej informacji do komórki o podanym adresie.
---Artykuł pochodzi z serwisu www.Artelis.pl
Brak komentarzy:
Prześlij komentarz